三離子束切割儀幾乎適用于任何材質(zhì)樣品,獲得高質(zhì)量切割截面。Leica EM TIC 3X進行離子束切割適用于切割硬、軟、多孔、熱敏感、脆和/或非均質(zhì)多相復(fù)合型材料,以獲得高質(zhì)量切割截面,更好的適宜于掃描電子顯微鏡(SEM)微區(qū)分析(能譜分析EDS,波譜分析WDS,俄歇分析Auger,背散射電子衍射分析EBSD)和原子力顯微鏡(AFM)分析。
Leica EM TIC 3X在技術(shù)上超越了傳統(tǒng)的離子束拋光切割設(shè)備。該技術(shù)對樣品進行處理時,可使樣品受到形變或損傷的可能性zui低,可暴露出樣品內(nèi)部真實的結(jié)構(gòu)信息。幾乎適用于任何材料,整個樣品處理過程快速簡便。
三離子束切割儀幾乎適用于任何材質(zhì)樣品,獲得高質(zhì)量切割截面。Leica EM TIC 3X進行離子束切割適用于切割硬、軟、多孔、熱敏感、脆和/或非均質(zhì)多相復(fù)合型材料,以獲得高質(zhì)量切割截面,更好的適宜于掃描電子顯微鏡(SEM)微區(qū)分析(能譜分析EDS,波譜分析WDS,俄歇分析Auger,背散射電子衍射分析EBSD)和原子力顯微鏡(AFM)分析。
Leica EM TIC 3X在技術(shù)上超越了傳統(tǒng)的離子束拋光切割設(shè)備。該技術(shù)對樣品進行處理時,可使樣品受到形變或損傷的可能性zui低,可暴露出樣品內(nèi)部真實的結(jié)構(gòu)信息。幾乎適用于任何材料,整個樣品處理過程快速簡便。
三離子束匯聚于擋板邊緣的中點,形成一個100°轟擊扇面,切向暴露于擋板上方的樣品(樣品上端高出擋板約20-100μm),直到轟擊到達樣品內(nèi)部目標(biāo)區(qū)域。新型設(shè)計的離子槍可產(chǎn)生的離子束研磨速率達到150μm/h (Si10 kV,3.0 mA,50μm切割高度)。徠卡*的三離子束系統(tǒng),可獲得優(yōu)異的高質(zhì)量切割截面,且速率高,切割面寬且深,這可大大節(jié)約工作時間。通過這一*技術(shù)可獲得高質(zhì)量切割截面,區(qū)域尺寸可達>4×1mm。
現(xiàn)在的科研實驗室往往尋求快速簡單的樣品制備方法同時又不放棄高質(zhì)量高標(biāo)準(zhǔn)要求。徠卡EM TIC 3X三離子束切割儀的創(chuàng)新技術(shù)正為這一類有著高期望值的實驗室提供解決方案,以實現(xiàn)你們的目標(biāo)。根據(jù)應(yīng)用需求,徠卡EM TIC 3X可以由您裝配用于標(biāo)準(zhǔn)類型樣品制備,高通量樣品制備以及特殊的熱敏感型樣品在低溫下樣品制備(如聚合物,橡膠等)。
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