更新時(shí)間:2024-11-08
簡要描述:
徠卡 EM RES102多功能離子減薄儀是一款*的離子束研磨設(shè)備,帶有兩個(gè)鞍形場離子源,離子束能量可調(diào),以獲得Z佳離子研磨結(jié)果。這一款獨(dú)立的桌面型設(shè)備集 TEM,SEM和LM樣品制備功能于一體,這與市面上其它設(shè)備截然不同。除了高能量離子研磨功能外,徠卡EM RES102還可用于低能量極溫和的離子束研磨過程。
徠卡 EM RES102多功能離子減薄儀
使用徠卡 EM RES102,使您的樣品具備高水平的靈活性,具有輕薄、清潔、拋光、切割的坡度和結(jié)構(gòu)。*的離子束研磨系統(tǒng)結(jié)合了在一個(gè)單工作臺(tái)面單元上制備TEM、SEM和LM樣品的特點(diǎn)。
各種樣品架可以進(jìn)行多元化應(yīng)用。除了高能量的離子銑工藝,徠卡EM RES102也可適于采用低離子能量處理非常柔軟的樣本。
徠卡 EM RES102多功能離子減薄儀主要優(yōu)勢(shì)
*的解決方案
Leica EMRES102是一款*的離子束研磨設(shè)備,帶有兩個(gè)鞍形場離子源,離子束能量可調(diào), 以獲得離子研磨結(jié)果。這一款獨(dú)立的桌面型設(shè)備集 TEM,SEM和LM樣品制備功能于 一體,這與市面上其它設(shè)備截然不同。除了高能量離子研磨功能外,徠卡EM RES102還可 用于低能量極溫和的離子束研磨過程。
TEM 樣品
• 單面或雙面離子束研磨適用于材料的離子束減薄過程。鞍形 場離子源可獲得很大的電子束透明薄區(qū)。
• 程序化控制的離子入射角度變化,適用于完成特殊的樣品制 備目的,例如FIB樣品清潔,以減少無定形非晶層。
SEM 或 LM 樣品
• 離子束拋光大拋光區(qū)域可達(dá)25mm。
• 離子束清潔適用于對(duì)樣品表面污染層或機(jī)械拋光后表面產(chǎn) 生的涂抹層進(jìn)行清潔。
• 樣品表面襯度增強(qiáng)作用,可替代化學(xué)刻蝕作用。
• 35°斜坡切割用于制備多層樣品的截面。
• 90°斜坡切割用于制備復(fù)合結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體樣品或組裝器件, 這種方式所需的機(jī)械預(yù)加工工作少 。
主要特點(diǎn)
• 一臺(tái)桌面型設(shè)備,集TEM,SEM和LM樣品制備功能于一體
• 通過局域網(wǎng)實(shí)現(xiàn)對(duì)離子研磨過程遠(yuǎn)程遙控
• 離子束拋光區(qū)域很大,可達(dá)25mm
• 離子研磨過程參數(shù)全電腦控制
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